磁芯可以在A点一个上升时间为Tr的阶跃信号通过引线AB传向B端。信号在AB线上的延迟时间是Td。在D点，由于A点信号的向前传输，到达B点后的信号反射和AB线的延迟，磁芯的Td时间以后会感应出一个宽度为Tr的页脉冲信号。
在C点，由于AB上信号的传输与反射，磁芯会感应出一个宽度为信号在AB线上的延迟时间的两倍，即2Td的正脉冲信号。这就是信号间的交叉干扰。干扰信号的强度与C点信号的di/at有关，与线间距离有关。
当两信号线不是很长时，AB上看到的实际是两个脉冲的迭加。CMOS工艺制造的微控制由输入阻抗高，噪声高，噪声容限也很高，数字电路是迭加100~200mv噪声并不影响其工作。磁芯若图中AB线是一模拟信号，这种干扰就变为不能容忍。如印刷线路板为四层板，其中磁芯有一层是大面积的地，或双面板，信号线的反面是大面积的地时，这种信号间的交叉干扰就会变小。原因是，磁芯大面积的地减小了信号线的特性阻抗，信号在D端的反射大为减小。
特性阻抗与信号线到地间的介质的介电常数的平方成反比，与介质厚度的自然对数成正比。磁芯若AB线为一模拟信号，要避免数字电路信号线CD对AB的干扰，AB线下方要有大面积的地，AB线到CD线的距离要大于AB线与地距离的2~3倍。磁芯可用局部屏蔽地，在有引结的一面引线左右两侧布以地线。
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